電機驅動電路使用的MOS管,10款場效應管詳細參數數據呈現!
文章作者:飛虹電子
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類型:行業(yè)資訊
日期:2022-03-17 16:41:04
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究竟電機驅動電路中有多少款MOS管是適合使用的呢?電子工程師開發(fā)時經常會遇到這個問題,網絡上面要么是只能看到簡單的數據,要么就是介紹得不太清晰的。因此今天飛虹電子整理了這一份電機驅動電路可使用的國產MOS管合集,供廣大電子工程師參考。
目前國產MOS管中,可替換多款場效應管產品使用的具體型號為:FHP120N7F6A、FHN60N1F10LA、FHP170N1F4A、FHP200N6F3A、FHP200N4F3A、FHP150N03C、FHP170N8F3A、FHP110N8F5B、FHP100N8F6A、FHP60N1F10A、FHP75N100,以上10款產品都是可以應用于電機驅動電路中的。
具體要怎么選擇呢?當然需要結合產品的實際參數數據,具體我們來細看一些以上產品的核心參數情況:
1、FHP120N7F6A場效應管:
最高漏極-源極直流電壓為70V,在TC=25℃下,其連續(xù)漏極電流為120A,在TC=100℃下,其連續(xù)漏極電流為80A。
最大脈沖漏極電流(IDM ):480(A);靜態(tài)導通電阻(typ):VGS=10V則為5.4mΩ;反向傳輸電容:24pF。
2、FHN60N1F10LA場效應管:
這款產品參數:Vgs(±V):20;VTH(V):1.2-2.4;ID(A):60A;BVdss(V):100V。
最大脈沖漏極電流(IDM ):240(A)、靜態(tài)導通電阻(typ):VGS=10V則為10mΩ、VGS=4.5V則為12.5mΩ;反向傳輸電容:11pF。
3、FHP170N1F4A場效應管:
具體產品參數,具有172A、100V的電流、電壓, RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ,最高柵源電壓@VGS =±20 V,100%EAS測試,100%Rg測試,100%DVDS熱阻測試,優(yōu)秀的品質因子FOM(RDSON*Qg),一致性高,高可靠性,高雪崩耐量。
FHP170N1F4A的封裝形式是TO-220。這款產品參數:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):172A;BVdss(V):100V。
4、FHP200N6F3A場效應管:
具體產品參數,具有200A、60V的電流、電壓, RDS(on) = 3.5mΩ(max) ,最高柵源電壓@VGS =±20 V,100% EAS測試,100% Rg測試,100% DVDS測試,極低的FOM(RDSON*Qg),極低的輸入電容的特點。
FHP200N6F3A的封裝形式是TO-220。這款產品參數:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):200A;BVdss(V):60V。
5、FHP200N4F3A場效應管:
具有200A、40V的電流、電壓, RDS(on) = 3.1mΩ(max) ,最高柵源電壓@VGS =±20 V,100% EAS測試,100% Rg測試,100% DVDS測試,電機驅動電路用mos管極低的FOM(RDSON*Qg),極低的輸入電容的特點。
FHP200N4F3A的封裝形式是TO-220。這款產品參數:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):200A;BVdss(V):40V。
6、FHP150N03C場效應管:
這款產品參數:Vgs(±V):20;VTH(V):0.8-2.5;ID(A):150A;BVdss(V):30V。
最大脈沖漏極電流(IDM ):600(A);靜態(tài)導通電阻(typ):VGS=10V則為2.2mΩ、VGS=4.5V則為2.8mΩ;反向傳輸電容:405pF。
7、FHP170N8F3A場效應管:
最高漏極-源極直流電壓為85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,其連續(xù)漏極電流為185A,在TC=25℃(Package Limited)下,其連續(xù)漏極電流為120A,在TC=100℃下,其連續(xù)漏極電流為117.2A。
最大脈沖漏極電流(IDM ):480(A);靜態(tài)導通電阻(typ):VGS=10V則為2.95mΩ;反向傳輸電容:97pF。
8、FHP110N8F5B場效應管:
其產品參數:具有147A電流、85V電壓, RDS(on) = 5.5mΩ(max),最高柵源電壓 @VGS =±20 V,100% EAS測試,100% Rg測試,100% DVDS測試,極低的FOM(RDSON*Qg),鋰電池用MOS管并擁有極低輸入電容的特點。
FHP110N8F5B的主要封裝形式是TO-220。這款產品參數:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):147A;BVdss(V):85V。
9、FHP100N8F6A場效應管:
100N8F6A場效應管的最高漏極-源極直流電壓為85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,電機驅動電路用mos管其連續(xù)漏極電流為120A,在TC=25℃(Package Limited)下,其連續(xù)漏極電流為80A,在TC=125℃下,其連續(xù)漏極電流為56A。
最大脈沖漏極電流(IDM ):320(A);靜態(tài)導通電阻(typ):VGS=10V則為5.3mΩ;反向傳輸電容:18pF。
10、FHP60N1F10A場效應管:
FHP60N1F10A具有60A、100V, RDS(on) = 12mΩ(max) @VGS =±20 V,具備100% EAS測試,100% Rg測試,電機驅動用mos管100% DVDS測試,極低的FOM(RDSON*Qg),極低的輸入電容的特點。
FHP60N1F10A的主要封裝形式是TO-220。這款產品參數:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):60A;BVdss(V):100V。
以上10款產品便是國產MOS管在使用過程中的核心數據呈現,具體可有電機驅動開發(fā)工程師進一步選擇使用。畢竟不同的性能以及需求對應要選擇的MOS管還是會有差異的,詳細參數規(guī)格表可登陸“飛虹電子”網址。
飛虹電子是優(yōu)質的MOS管研發(fā)團隊,過程中會有專業(yè)的產品工程師與廠家共同維護研發(fā),讓企業(yè)產品能夠得到最優(yōu)的保障。
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