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儲能電源使用的MOS管,8款場效應管詳細參數(shù)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)!
儲能電源使用的MOS管,8款場效應管詳細參數(shù)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)!
文章作者:飛虹電子
瀏覽量:9406
類型:行業(yè)資訊
日期:2022-03-17 16:54:18
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儲能電源MOS管使用推薦合集,今天我們就來細談細談。在社會的飛速發(fā)展中,戶外出游無論在國外還是國內(nèi)都有越來越多的自駕愛好者、戶外旅行團隊等加入,對便攜式儲能電源的需求自然激增,因此廠家一定要重視產(chǎn)品對MOS管的使用。
畢竟不同類型的儲能電源電路設計要使用的MOS管還是有所差異的,因此今天飛虹電子整理了這一份儲能電源可使用的國產(chǎn)MOS管合集,供廣大電子工程師參考。
目前國產(chǎn)MOS管中,可替換多款場效應管產(chǎn)品使用的具體型號為:FHP120N7F6A、FHP170N1F4A、FHP200N6F3A、FHP200N4F3A、FHP170N8F3A、FHP110N8F5B、FHP100N8F6A、FHP60N1F10A,以上8款產(chǎn)品都是可以應用于儲能電源中的。
究竟還需要怎么考慮?當然需要結(jié)合場效應管的型號參數(shù)數(shù)據(jù),具體我們來細看一些以上8款產(chǎn)品的核心型號參數(shù)情況:
1、FHP120N7F6A場效應管:
最高漏極-源極直流電壓為70V,在TC=25℃下,其連續(xù)漏極電流為120A,在TC=100℃下,其連續(xù)漏極電流為80A。
最大脈沖漏極電流(IDM ):480(A);靜態(tài)導通電阻(typ):VGS=10V則為5.4mΩ;反向傳輸電容:24pF。
2、FHP170N1F4A場效應管:
具體產(chǎn)品參數(shù),具有172A、100V的電流、電壓, RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ,最高柵源電壓@VGS =±20 V,100%EAS測試,100%Rg測試,100%DVDS熱阻測試,優(yōu)秀的品質(zhì)因子FOM(RDSON*Qg),一致性高,高可靠性,高雪崩耐量。
FHP170N1F4A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù):Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):172A;BVdss(V):100V。
3、FHP200N6F3A場效應管:
具體產(chǎn)品參數(shù),具有200A、60V的電流、電壓, RDS(on) = 3.5mΩ(max) ,最高柵源電壓@VGS =±20 V,100% EAS測試,100% Rg測試,100% DVDS測試,極低的FOM(RDSON*Qg),極低的輸入電容的特點。
FHP200N6F3A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù):Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):200A;BVdss(V):60V。
4、FHP200N4F3A場效應管:
具有200A、40V的電流、電壓, RDS(on) = 3.1mΩ(max) ,最高柵源電壓@VGS =±20 V,100% EAS測試,100% Rg測試,儲能電源用mos管100% DVDS測試,極低的FOM(RDSON*Qg),極低的輸入電容的特點。
FHP200N4F3A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù):Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):200A;BVdss(V):40V。
5、FHP170N8F3A場效應管:
最高漏極-源極直流電壓為85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,其連續(xù)漏極電流為185A,在TC=25℃(Package Limited)下,其連續(xù)漏極電流為120A,在TC=100℃下,其連續(xù)漏極電流為117.2A。
最大脈沖漏極電流(IDM ):480(A);靜態(tài)導通電阻(typ):VGS=10V則為2.95mΩ;反向傳輸電容:97pF。
6、FHP110N8F5B場效應管:
其產(chǎn)品參數(shù):具有147A電流、85V電壓, RDS(on) = 5.5mΩ(max),最高柵源電壓 @VGS =±20 V,100% EAS測試,100% Rg測試,100% DVDS測試,極低的FOM(RDSON*Qg),鋰電池用MOS管并擁有極低輸入電容的特點。
FHP110N8F5B的主要封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù):Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):147A;BVdss(V):85V。
7、FHP100N8F6A場效應管:
100N8F6A場效應管的最高漏極-源極直流電壓為85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,儲能電源用mos管其連續(xù)漏極電流為120A,在TC=25℃(Package Limited)下,其連續(xù)漏極電流為80A,在TC=125℃下,其連續(xù)漏極電流為56A。
最大脈沖漏極電流(IDM ):320(A);靜態(tài)導通電阻(typ):VGS=10V則為5.3mΩ;反向傳輸電容:18pF。
8、FHP60N1F10A場效應管:
FHP60N1F10A具有60A、100V, RDS(on) = 12mΩ(max) @VGS =±20 V,具備100% EAS測試,100% Rg測試,儲能電源用mos管100% DVDS測試,極低的FOM(RDSON*Qg),極低的輸入電容的特點。
FHP60N1F10A的主要封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù):Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):60A;BVdss(V):100V。
以上8款產(chǎn)品便是國產(chǎn)MOS管在使用過程中的核心數(shù)據(jù)呈現(xiàn),具體可有儲能電源開發(fā)工程師進一步選擇使用。畢竟不同的性能以及需求對應要選擇的MOS管還是會有差異的,詳細參數(shù)規(guī)格表可登陸“飛虹電子”網(wǎng)址。
飛虹電子是優(yōu)質(zhì)的MOS管研發(fā)團隊,過程中會有專業(yè)的產(chǎn)品工程師與廠家共同維護研發(fā),讓企業(yè)產(chǎn)品能夠得到最優(yōu)的保障。
除參數(shù)適合外,飛虹致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,給逆變器廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有33年半導體行業(yè)經(jīng)驗以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗。除可提供免費試樣外,更可根據(jù)客戶需求進行量身定制MOS管產(chǎn)品。
直接百度輸入“飛虹電子”即可找到我們,免費試樣熱線:400-831-6077。
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